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參數(shù)資料
| 型號： | KFN2G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 82/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFN2G16Q2M-DED6 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
82
After a Multi-Block Erase Operation, verify Erase Operation result of each block with Multi-Block Erase Verify Command combined
with address of each block.
If a failed address is identified, it must be managed in firmware.
Multi Block Erase/ Multi Block Erase Verify Read Flow Chart
Start
Write ’DFS
1)
, FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS, FBA
Write ’Multi Block Erase’
Command
Add: F220h DQ=0095h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Final Multi Block
Erase
YES
NO
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Block Erase
Command’
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Multi Block Erase Verify Read
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Multi Block Erase
Verify Read Command’
Add: F220h DQ=0071h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=Error
DQ[10]=0
Multi Block Erase completed
Final Multi Block
Erase Address
YES
NO
Erase completed
YES
Erase Error
NO
*DFS is for DDP
Note 1) DFS should be a fixed value, for Multi Block Erase is performed within a single chip.
3.10.3 Multi-Block Erase Verify Read Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KFX0327T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE ISM) |
| KFX0414T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE CIS) |
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| KFX2703T | 903.75MHz RF SAW Duplexer For Cordless Phone ISM(903.75MHz射頻聲表面雙工器(用于無線電話ISM)) |
| KFX3186T | 886MHz RF SAW Duplexer For Cordless Phone(CT-1+)(886MHz射頻聲表面雙工器(用于無線電話(CT-1+))) |
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參數(shù)描述 |
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