參數(shù)資料
型號(hào)： K9XXG08UXM-P
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： SSR H/S ZS 600V 70A 4-32VDC
中文描述： 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 20/39頁
文件大?。?/td> 680K
代理商： K9XXG08UXM-P
FLASH MEMORY
20
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN final*
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
Serial Access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
t
CEA
I/Ox
I/Ox
≈
≈
≈
NOTES :
DIN final means 2112(X8) or 1056(X16)
t
CHZ*
t
RHZ*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9XXG08UXM-Y 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9XXG16UXM-E SSR H/S IO 230V 20A 4-32VDC
K9XXG16UXM-K SSR H/S PS 230V 50A 4-20MA E
K9XXG16UXM-P Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output.
K9XXG16UXM-Y Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output, bult-in current measurement.
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參數(shù)描述
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K9XXG16UXM-K 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
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