- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374300 > K9K4G08U0M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K9K4G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9K4G08U0M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當(dāng)前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
FLASH MEMORY
17
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
System Interface Using CE don’t-care.
For an easier system interface, CE may be inactive during the data-loading or serial access as shown below. The internal
2112byte(X8 device) or 1056word(X16 device) data registers are utilized as separate buffers for this operation and the system
design gets more flexible. In addition, for voice or audio applications which use slow cycle time on the order of u-seconds, de-activat-
ing CE during the data-loading and serial access would provide significant savings in power consumption.
Figure 4. Program Operation with CE don’t-care.
Address(5Cycles)
80h
Data Input
CE
CLE
ALE
WE
Data Input
CE don’t-care
10h
Address(5Cycle)
00h
CE
CLE
ALE
WE
Data Output(serial access)
CE don’t-care
R/B
t
R
RE
t
CEA
out
t
REA
CE
RE
I/O
0
~
7
Figure 5. Read Operation with CE don’t-care.
30h
I/Ox
I/Ox
≈
≈
≈
CE
WE
t
WP
t
CH
t
CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K4G16Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W8G08U1M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9WAG08U1M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M-PIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K4G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。