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參數(shù)資料
| 型號： | K9K4G08Q0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9K4G08Q0M |
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FLASH MEMORY
7
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
1K Words
32 Words
Figure 1-2. K9XXG16XXM (X16) Functional Block Diagram
Figure 2-2. K9XXG16XXM (X16) Array Organization
NOTE
: Column Address : Starting Address of the Register.
* L must be set to "Low".
* The device ignores any additional input of address cycles than reguired.
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
I/O8 ~ 15
1st Cycle
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
*L
2nd Cycle
A
8
A
9
A
10
*L
*L
*L
*L
*L
*L
3rd Cycle
A
11
A
12
A
13
A
14
A
A
16
A
17
A
18
*L
4th Cycle
A
19
A
20
A
21
A
22
A
23
A
24
A
25
A
26
*L
5th Cycle
A
27
A
28
*L
*L
*L
*L
*L
*L
*L
V
CC
V
SS
X-Buffers
Latches
& Decoders
Command
Register
I/O Buffers & Latches
Y-Buffers
Latches
& Decoders
Control Logic
& High Voltage
Generator
Global Buffers
Output
Driver
A
11
- A
28
A
0
- A
10
Command
CE
RE
WE
CLE
WP
I/0 0
I/0 15
V
CC
V
SS
256K Pages
(=4,096 Blocks)
1K Words
16 bit
32 Words
1 Block = 64 Pages
(64K + 2k) Word
I/O 0 ~ I/O 15
1 Page = (1K + 32)Words
1 Block = (1K + 32)Word x 64 Pages
= (64K + 2K) Words
1 Device = (1K+32)Word x 64Pages x 4096 Blocks
= 4224 Mbits
Row Address
Page Register
ALE PRE
4096M + 128M Bit
NAND Flash
ARRAY
(1024 + 32)Word x 262144
Y-Gating
Cache Register
Row Address
Column Address
Column Address
Data Register & S/A
Row Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W8G08U1M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M-PIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K4G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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