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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K4G08Q0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9K4G08Q0M |
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FLASH MEMORY
12
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
AC Characteristics for Operation
NOTE
: 1. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
Parameter
Symbol
K9K4G16U0M(3.3V)
K9K4GXXQ0M(1.8V)
K9XXG08UXM(3.3V)
Unit
Min
Max
Min
Max
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
25
-
25
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
-
10
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
-
10
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
-
20
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
-
15
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
100
-
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
-
30
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
30
-
18
ns
CE Access Time
t
CEA
-
45
-
23
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
30
-
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
20
-
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
-
15
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
-
10
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
-
0
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR
60
-
60
-
ns
Device Resetting Time(Read/Program/Erase)
t
RST
-
5/10/500
(1)
-
5/10/500
(1)
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W8G08U1M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M-PIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K4G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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