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參數(shù)資料
| 型號： | K9K4G08Q0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9K4G08Q0M |
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FLASH MEMORY
11
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
Program / Erase Characteristics
NOTE
: 1. Max. time of
t
CBSY
depends on timing between internal program completion and data in
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
300
700
μ
s
μ
s
Dummy Busy Time for Cache Program
t
CBSY
3
700
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
4
cycles
Spare Array
-
-
4
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
AC Timing Characteristics for Command / Address / Data Input
NOTES :
tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle.
Parameter
Symbol
K9K4G16U0M(3.3V)
K9K4GXXQ0M(1.8V)
K9XXG08UXM(3.3V)
Unit
Min
Max
Min
Max
CLE setup Time
t
CLS
25
-
10
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
-
5
-
ns
CE setup Time
t
CS
35
-
15
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
-
5
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
-
15
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
25
-
10
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
-
5
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
-
10
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
-
5
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
45
-
30
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
-
10
-
ns
ALE to Data Loading Time
t
ADL
100
-
100
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W8G08U1M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K4G08U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M-PIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K4G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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