- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374299 > K9K1G08U0M-YCB0 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128M x 8 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K9K1G08U0M-YCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M的× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | K9K1G08U0M-YCB0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當(dāng)前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
K9K1G08U0M-YCB0, K9K1G08U0M-YIB0
FLASH MEMORY
26
Figure 9. Read2 Operation
50h
A
0
~ A
3
& A
9
~ A
26
Data Output(Sequential)
Spare Field
CE
CLE
ALE
R/B
WE
Data Field
Spare Field
Start Add.(4Cycle)
(A
4
~ A
7
:
Don
t Care)
I/O
0
~
7
RE
Figure 10. Sequential Row Read1 Operation
00h
01h
A
0
~ A
7
& A
9
~ A
26
I/O
0
~
7
R/B
Start Add.(4Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
1st
2nd
Nth
(528 Byte)
(528 Byte)
t
R
t
R
t
R
t
R
The Sequential Read 1 and 2 operation is allowed only within a block and after the last page of a block is read-
out, the sequential read operation must be terminated by bringing CE high. When the page address moves onto
the next block, read command and address must be given.
≈
1st half array 2nd half array
( 00h Command)
Data Field
Spare Field
( 01h Command)
Data Field
Spare Field
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
Block
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K1G08U0M-YIB0 | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0A | TV 8C 8#16 PIN WALL RECP |
| K9K2G08U0M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08UXM-E | SSR H/S ZS 600V 50A 4-32VDC |
| K9XXG08UXM-K | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K1G08U0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:nand flash |
| K9K1G16Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G16U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。