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參數(shù)資料
| 型號： | K9K1G08U0M-YCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M的× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/37頁 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | K9K1G08U0M-YCB0 |
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K9K1G08U0M-YCB0, K9K1G08U0M-YIB0
FLASH MEMORY
19
Page Program Operation
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
Din
527
10h
A
0
~ A
7
A
17
~ A
24
A
9
~ A
16
Sequential Data
Input Command
Column
Address
Page(Row)
Address
1 up to 528 Byte Data
Serial Input
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
Sequential Row Read Operation ( Within a Block )
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
00h
A
0
~ A
7
Busy
M
Output
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout
N
Dout
N+1
Dout
527
Dout
0
Dout
1
Dout
527
Busy
M+1
Output
N
Ready
≈
≈
≈
≈
≈
A
25,
A
26
≈
≈
≈
A
25,
A
26
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K1G08U0M-YIB0 | 128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0A | TV 8C 8#16 PIN WALL RECP |
| K9K2G08U0M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08UXM-E | SSR H/S ZS 600V 50A 4-32VDC |
| K9XXG08UXM-K | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K1G08U0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:nand flash |
| K9K1G16Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K1G16U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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