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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8S5515ETC-SC1E0 |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/65頁(yè) |
| 文件大小： | 1196K |
| 代理商： | K8S5515ETC-SC1E0 |
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K8S5615ETC
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.0
SWITCHING WAVEFORMS
Erase Operation
NOTE :
1) BA is the block address for Block Erase.
2) Address bits A16–A23 are don’t cares during unlock cycles in the command sequence.
3) Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Figure 15: Chlp/Block Erase Operations
Erase Command Sequence (last two cycles)
AVD
A16:A23
WE
CE
tAVDP
tAS
tAH
tDS
tDH
tCH
tBERS
tVCS
BA
VA
In
Progress
Complete
30h
BA
55h
2AAh
A/DQ0:
A/DQ15
OE
VCC
Read Status Data
555h for
chip erase
10h for
chip erase
tWP
tCS
tWPH
tWC
CLK
VIL
≈
tWEA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
| KA-99-24 | RF STRAIGHT ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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