參數(shù)資料
型號： K5A3280YTC-T755
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： MCP MEMORY
中文描述： MCP的記憶
文件頁數(shù)： 37/45頁
文件大?。?/td> 625K
代理商： K5A3280YTC-T755
MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 37 -
Preliminary
Data Polling During Internal Routine Operation
Flash SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
t
BUSY
90
-
90
-
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
ns
Output Enable Time
t
OE
-
25
-
25
ns
CE
F
& OE Disable Time
t
DF
-
16
-
16
ns
Output Hold Time from Address, CE
F
or OE
t
OH
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
ns
OE
t
CE
t
OEH2
CE
F
DQ7
WE
t
OE
HIGH-Z
t
DF
NOTE:
*DQ7=Vaild Data (The device has completed the internal operation).
DQ7
*DQ7 = Valid Data
t
OH
t
PGM
or t
BERS
HIGH-Z
Valid Data
DQ0-DQ6
Data In
Data In
WE
RY/BY Timing Diagram During Program/Erase Operation
The rising edge of the last WE signal
CE
F
RY/BY
t
BUSY
Entire progrming
or erase operation
Status Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K5A3280YTC-T855 MCP MEMORY
K5A3380YBC-T755 MCP MEMORY
K5A3380YBC-T855 MCP MEMORY
K5A3380YTC-T755 MCP MEMORY
K5A3380YTC-T855 MCP MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K5A3280YTC-T755000 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:MCP 32M BIT (4M X 8/2M X 16) DUAL BANK NOR FLASH MEMORY / 8M(1M X 8/512K X 16) FULL CMOS SRAM, PBGA69
K5A3280YTC-T855 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MCP MEMORY
K5A3340YBC-T755 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM
K5A3340YBC-T855 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM
K5A3340YT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM
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