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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G164QM-ZCD5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模DDR2 SDRAM的規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 612K |
| 代理商： | K4T1G164QM-ZCD5 |
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
18. tIS and tIH (input setup and hold) derating.
For all input signals the total tIS (setup time) and tIH(hold time) required is calculated by adding the datasheet tIS(base) and tIH(base) value to the delta
tIS and delta tIH derating value respectively. Example: tIS(total setup time)= tIS(base) + delta tIS.
tIS,
tIH Derating Values for DDR2-400, DDR2-533
CK, CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
Units
Notes
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
Command/
Address Slew
rate(V/ns)
4.0
+187
+94
+217
+124
+247
+154
ps
1
3.5
+179
+89
+209
+119
+239
+149
ps
1
3.0
+167
+83
+197
+113
+227
+143
ps
1
2.5
+150
+75
+180
+105
+210
+135
ps
1
2.0
+125
+45
+155
+75
+185
+105
ps
1
1.5
+83
+21
+113
+51
+143
+81
ps
1
1.0
0
0
+30
+30
+60
+60
ps
1
0.9
-11
-14
+19
+16
+49
+46
ps
1
0.8
-25
-31
+5
-1
+35
+29
ps
1
0.7
-43
-54
-13
-24
+17
+6
ps
1
0.6
-67
-83
-37
-53
-7
-23
ps
1
0.5
-110
-125
-80
-95
-50
-65
ps
1
0.4
-175
-188
-145
-158
-115
-128
ps
1
0.3
-285
-292
-255
-262
-225
-232
ps
1
0.25
-350
-375
-320
-345
-290
-315
ps
1
0.2
-525
-500
-495
-470
-465
-440
ps
1
0.15
-800
-708
-770
-678
-740
-648
ps
1
tIS and
tIH Derating Values for DDR2-667, DDR2-800
CK, CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
Units
Notes
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
Command/
Address Slew
rate(V/ns)
4.0
+150
+94
+180
+124
+210
+154
ps
1
3.5
+143
+89
+173
+119
+203
+149
ps
1
3.0
+133
+83
+163
+113
+193
+143
ps
1
2.5
+120
+75
+150
+105
+180
+135
ps
1
2.0
+100
+45
+130
+75
+160
+105
ps
1
1.5
+67
+21
+97
+51
+127
+81
ps
1
1.0
0
0
+30
+30
+60
+60
ps
1
0.9
-5
-14
+25
+16
+55
+46
ps
1
0.8
-13
-31
+17
-1
+47
+29
ps
1
0.7
-22
-54
+8
-24
+38
+6
ps
1
0.6
-34
-83
-4
-53
+26
-23
ps
1
0.5
-60
-125
-30
-95
0
-65
ps
1
0.4
-100
-188
-70
-158
-40
-128
ps
1
0.3
-168
-292
-138
-262
-108
-232
ps
1
0.25
-200
-375
-170
-345
-140
-315
ps
1
0.2
-325
-500
-295
-470
-265
-440
ps
1
0.15
-517
-708
-487
-678
-457
-648
ps
1
0.1
-1000
-1125
-970
-1095
-940
-1065
ps
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T51043QC-ZLCC | DIN Audio Connector; No. of Contacts:8; Contact Termination:Solder; Gender:Male RoHS Compliant: Yes |
| K4T51043QC-ZCLCC | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCLD5 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCLD6 | CAP 33PF 3000V 5% NP0(C0G) SMD-1808 TR-7 PLATED-NI/SN |
| K4T51043QC-ZCE6 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G164QQ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)E6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)E7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HCE6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
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