參數(shù)資料
型號(hào)： K4T1G164QA-ZCD5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1GB的芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格
文件頁(yè)數(shù)： 10/28頁(yè)
文件大小： 612K
代理商： K4T1G164QA-ZCD5
Page 10 of 28
Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
1Gb Addressing
* Reference information: The following tables are address mapping information for other densities.
256Mb
512Mb
2Gb
4Gb
Configuration
256Mb x4
128Mb x 8
64Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
~ A
13
A
0
~ A
13
A
0
~ A
12
Column Address
A
0
~ A
9,
A
11
A
0
~ A
9
A
0
~ A
9
Configuration
64Mb x4
32Mb x 8
16Mb x16
# of Bank
4
4
4
Bank Address
BA0,BA1
BA0,BA1
BA0,BA1
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
~ A
12
A
0
~ A
12
A
0
~ A
12
Column Address
A
0
~ A
9,
A
11
A
0
~ A
9
A
0
~ A
8
Configuration
128Mb x4
64Mb x 8
32Mb x16
# of Bank
4
4
4
Bank Address
BA0,BA1
BA0,BA1
BA0,BA1
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 ~ A13
A0 ~ A13
A0 ~ A12
Column Address
A0 ~ A9,A11
A0 ~ A9
A0 ~ A9
Configuration
512Mb x4
256Mb x 8
128Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 ~ A14
A0 ~ A14
A0 ~ A13
Column Address
A0 ~ A9,A11
A0 ~ A9
A0 ~ A9
Configuration
1 Gb x4
512Mb x 8
256Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 - A15
A0 - A15
A0 - A14
Column Address/page size
A0 - A9,A11
A0 - A9
A0 - A9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4T1G164QA-ZCE6 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G044QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G084QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G044QM 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4T1G164QA-ZCE6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QD 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QD-ZCE6000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4T1G164QE 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory
K4T1G164QE-HCE7000 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*