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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G044QA-ZCE6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1GB的芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 612K |
| 代理商： | K4T1G044QA-ZCE6 |
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Page 5 of 28
Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
Notes:
1.
Pins F3 and E2 have
identical capacitance as
pins F7 and E8.
For a read, when enabled,
strobe pair RDQS &
RDQS are identical in
function and timing to
strobe pair DQS & DQS
and input masking
function is disabled.
The function of DM or
RDQS/RDQS are enabled
by EMRS command.
VDDL and VSSDL are
power and ground for the
DLL.
2.
3.
4.
x8 package pinout (Top View) : 68ball FBGA Package
(60balls + 8balls of dummy balls)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
NU/
RDQS
VSS
DQ6
VSSQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQS
DQS
DQ7
DQ0
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ5
VSSDL
VDD
CK
RAS
CK
CAS
CS
A2
A6
A4
A11
A8
NC
A13
NC
A12
A9
A7
A5
A0
VDD
A10/AP
VSS
VDDQ
VSSQ
DQ1
DQ3
DQ4
VDDL
A1
A3
BA1
VREF
VSS
CKE
WE
BA0
1 2 3 7 8 9
VDD
VSS
ODT
BA2
NC
NC
NC
NC
M
N
P
R
T
U
V
W
NC
NC
NC
NC
Ball Locations (x8)
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View
(See the balls through the Package)
1
2
3
4
5
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ + +
+ + +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ + +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
+
+
+
+
+
+
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+
+
+
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+
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DM/
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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