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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC30 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 51/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC30 |
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- 51 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Example 5: Burst Read Operation Followed by Precharge:
RL = 4, AL = 0, CL = 4, BL = 8, t
RTP
> 2 clocks
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
Precharge A
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 0
CL =4
RL = 4
DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
NOP
NOP
> = t
RAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
AL + 2 Clks + max{tRTP;2 tCK}*
* : rounded to next integer
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
8
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
> = t
RTP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P-24V-3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P2G324ED-AGC1000 | 制造商:Samsung 功能描述:K4P2G324ED-AGC1000 - Trays |
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