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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N56163QF-GC30 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/73頁(yè) |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC30 |
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- 32 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
ODT timing for active/standby mode
ODT timing for powerdown mode
T0
T1
T2
T3
T4
T5
tAOND
CK
CK
CKE
ODT
Internal
Term Res.
T6
tAOFD
tIS
tIS
tAON,min
tAON,max
tAOF,min
tAOF,max
R
TT
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
CK
CK
CKE
ODT
Internal
Term Res.
T6
tIS
tIS
tAONPD,min
tAONPD,max
tAOFPD,max
tAOFPD,min
R
TT
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P-24V-3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P2G324ED-AGC1000 | 制造商:Samsung 功能描述:K4P2G324ED-AGC1000 - Trays |
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