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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N56163QF-GC30 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/73頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC30 |
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- 33 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
ODT timing mode switch at entering power down mode
T-5
T-4
T-3
T-2
T-1
T0
CK
CK
T1
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFD
RTT
tIS
RTT
T2
T3
T4
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
tAOFPDmax
tIS
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOND
RTT
tIS
RTT
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
tAONPDmax
tANPD
Entering Slow Exit Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
V
IL
(AC)
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
V
IH
(AC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P-24V-3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P2G324ED-AGC1000 | 制造商:Samsung 功能描述:K4P2G324ED-AGC1000 - Trays |
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