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參數(shù)資料
| 型號： | K4J55323QF-GC16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 28/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC16 |
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256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
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DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
READ
T0
T1
T2
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
T10n
T9n
DO
b
DO
n
DO
n
DO
n
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
READ
T0
T1
T7
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
Bank a,
Col b
T10n
T9n
COMMAND
ADDRESS
1. DO
n
(or
x
or
b
or
g
) = data-out from column
n
(or column
x
or column
x
or column
b
or column
g
).
2. Burst length = 4
3.
n
’ or x or
b
’ or
g
’ indicates the next data-out following DO
n
or DO
x
or DO
b
OR DO
g
, respectively
4. READs are to an active row in any bank.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
～
～～
～～
～～
～
～～
～～
～～
DO
n
DO
n
DO
n
DO
n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-F | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-YC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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