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參數(shù)資料
| 型號： | K4J55323QF-GC16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 12/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC16 |
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- 12 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
CAS LATENCY (READ LATENCY)
The CAS latency is the delay, in clock cycles, between the registration of a READ command and the availability of the first bit of output
data. The latency can be set to 5~9 clocks. If a READ command is registered at clock edge
n
, and the latency is
m
clocks, the data will
be available nominally coincident with clock edge
n
+
m
. Below table indicates the operating frequencies at which each CAS latency set-
ting can be used. Reserved states should not be used as unknown operation or incompatibility with future versions may result.
CAS Latency
Allowable operating
Frequency (MHz)
CL=9
CL=8
≤
800
-
≤
700
-
-
≤
600
-
-
SPEED
-12
-14
-16
-20
CL=7
CL=6
CL=5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
≤
500
NOP
NOP
NOP
READ
T0
T3
T5
T5n
/CK
CK
COMMAND
T4
RDQS
DQ
CL = 5
NOP
NOP
NOP
READ
T0
T4
T6
T6n
/CK
CK
COMMAND
T5
RDQS
DQ
CL = 6
Burst Length = 4 in the cases shown
Shown with nominal t
AC
and nominal t
DSDQ
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
～
～
～～
～
～
～
～
～～
～
～
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-F | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-YC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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