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參數(shù)資料
| 型號： | K4J55323QF-GC16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 27/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC16 |
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256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
Nonconsecutive READ Bursts
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOP
NOP
NOP
READ
NOP
READ
T0
T7
T8
T8n
T9
T9n
T10
T17
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
～
～
～
～
～
～
～
～
T17n
T18
NOP
DO
b
1. DO
n
(or
b
) = data-out from column
n
(or column
b
).
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
n
.
4. Three subpsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
b
.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecutive READs.
7. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
NOTE
:
～
～～
～～
～～
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-F | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-YC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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