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參數資料
| 型號： | K4F661612D-TP |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)RAM的快速頁面模式 |
| 文件頁數： | 9/35頁 |
| 文件大小： | 400K |
| 代理商： | K4F661612D-TP |
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CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
t
ASC
,
t
CAH
are referenced to the earlier CAS falling edge.
t
CP
is specified from the last CAS rising edge in the previous cycle to the first CAS falling edge in the next cycle.
t
CWD
is referenced to the later CAS falling edge at word read-modify-write cycle.
t
CWL
is specified from W falling edge to the earlier CAS rising edge.
t
CSR
is referenced to earlier CAS falling before RAS transition low.
t
CHR
is referenced to the later CAS rising high after RAS transition low.
t
DS
is specified for the earlier CAS falling edge and
t
DH
is specified by the later CAS falling edge.
If
t
RASS
≥
100us, then RAS precharge time must use
t
RPS
instead of
t
RP
.
For RAS-only-Refresh and Burst CAS-before-RAS refresh mode, 4096 cycles(4K/8K) of burst refresh must be executed within
64ms before and after self refresh, in order to meet refresh specification.
For distributed CAS-before-RAS with 15.6us interval, CBR refresh should be executed with in 15.6us immediately before and
after self refresh in order to meet refresh specification.
t
CSR
t
CHR
RAS
LCAS
UCAS
t
DS
t
DH
LCAS
UCAS
DQ0 ~ DQ15
Din
21.
20.
19.
15.
14.
13.
18.
17.
16.
22.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F641612E | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F661612E | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4H1G0838A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL |
| K4H641638A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL |
| K4H281638A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 6.8Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.1 SOD-123 3K/REEL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4F661612E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F-6V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4FS | 功能描述:標準環(huán)形連接器 1 GANG XLR WALL PLT RoHS:否 制造商:Hirose Connector 系列:EM-W 產品類型:Accessories 位置/觸點數量:1 觸點類型: 觸點電鍍: 安裝風格:Cable 外殼材質: 端接類型:Clamp 電壓額定值: |
| K4G10325FE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4G10325FE-HC05000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SDRAM - Bulk |
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