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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4F661612D-TP |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 11/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 400K |
| 代理商： | K4F661612D-TP |
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CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
t
CRP
N O T E : D
IN
= O P E N
LOWER BYTE READ CYCLE
R A S
V
IH
-
V
IL
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L C A S
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OL
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D Q 0 ~ D Q 7
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
R A S
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V
OH
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V
OL
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D Q 8 ~ D Q 1 5
t
R C S
t
RRH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F641612E | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F661612E | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| K4H641638A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL |
| K4H281638A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 6.8Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.1 SOD-123 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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