參數(shù)資料
型號： K4E641611D-TC60
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 35/36頁
文件大?。?/td> 882K
代理商： K4E641611D-TC60
CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CHS
t
CP
t
CSR
t
CHS
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ15
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
RP
t
RP
Don
′
t care
Undefined
t
WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CEZ
t
RAS
相關PDF資料
PDF描述
K4E641612B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612B-L 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612B-TC 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612B-L 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612B-TC 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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