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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E641611D-TC50 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 6/36頁 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | K4E641611D-TC50 |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-50
-60
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Data hold time
t
DH
8
10
ns
9,19
Refresh period (4K, Normal)
t
REF
64
64
ms
Refresh period (8K, Normal)
t
REF
t
WCS
64
64
ms
Write command set-up time
0
0
ns
7
CAS to W delay time
t
CWD
30
32
ns
7,15
RAS to W delay time
t
RWD
67
77
ns
7
Column address W delay time
t
AWD
42
47
ns
7
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
t
CSR
t
CHR
5
5
ns
17
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
10
ns
18
RAS to CAS precharge time
t
RPC
5
5
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
28
35
ns
3
Hyper Page cycle time
t
HPC
20
25
ns
20
Hyper Page read-modify-write cycle time
t
HPRWC
47
56
ns
20
CAS precharge time (Hyper page cycle)
t
CP
t
RASP
8
10
ns
14
RAS pulse width (Hyper page cycle)
50
200K
60
200K
ns
RAS hold time from CAS precharge
t
RHCP
30
35
ns
OE access time
t
OEA
13
15
ns
OE to data delay
t
OED
13
13
ns
CAS precharge to W delay time
t
CPWD
45
54
ns
Output buffer turn off delay time from OE
t
OEZ
t
OEH
3
13
3
13
ns
6
OE command hold time
13
15
ns
Write command set-up time (Test mode in)
t
WTS
10
10
ns
11
Write command hold time (Test mode in)
t
WTH
10
10
ns
11
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
t
WRP
10
10
ns
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
t
WRH
10
10
ns
Output data hold time
t
DOH
t
REZ
5
5
ns
Output buffer turn off delay from RAS
3
13
3
13
ns
6,21
Output buffer turn off delay from W
t
WEZ
3
13
3
13
ns
6
W to data delay
t
WED
15
15
ns
OE to CAS hold time
t
OCH
5
5
ns
CAS hold time to OE
t
CHO
t
OEP
5
5
ns
OE precharge time
5
5
ns
W pulse width (Hyper page cycle)
t
WPE
5
5
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100
100
us
22,23,24
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
90
110
ns
22,23,24
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
ns
22,23,24
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661611D | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641611D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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