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參數資料
| 型號： | K4E641611D-TC50 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 17/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 882K |
| 代理商： | K4E641611D-TC50 |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
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LOWER BYTE WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
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DATA-IN
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CRP
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RPC
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OEH
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661611D | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E641611D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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