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參數資料
| 型號： | K4E170812D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 200萬× 8位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | K4E170812D |
K4E170811D, K4E160811D
K4E170812D, K4E160812D
CMOS DRAM
HYPER PAGE READ AND WRITE MIXED CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
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V
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RAL
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E641611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E171611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E-24V-6 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
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