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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E170812D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | K4E170812D |
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K4E170811D, K4E160811D
K4E170812D, K4E160812D
CMOS DRAM
READ - MODIFY - WRITE CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
ROW
ADDR
t
RAS
t
RWC
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
CSH
t
RAD
t
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t
ASR
t
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CRP
VALID
DATA-OUT
t
WP
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RWL
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AWD
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RWD
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DATA-IN
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
CLZ
t
DS
t
DH
COLUMN
ADDRESS
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E171611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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