參數(shù)資料
型號： K4E151612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 100萬× 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 9/35頁
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代理商： K4E151612D
K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
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相關PDF資料
PDF描述
K4E171611D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
K4E160411D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
K4E160412D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170411D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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