參數(shù)資料
型號(hào)： K4E151612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 100萬(wàn)× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 16/35頁(yè)
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代理商： K4E151612D
K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
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V
IL
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OE
V
IH
-
V
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-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RAL
t
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t
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CAH
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′
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LOWER BYTE WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RWL
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
t
DS
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
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CAS
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CRP
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WP
t
CWL
t
DH
DATA-IN
t
CRP
t
RPC
t
OEH
t
OED
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E171611D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
K4E160411D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
K4E160412D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170411D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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參數(shù)描述
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