參數(shù)資料
型號(hào)： K4E151612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 100萬× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 31/35頁
文件大小： 553K
代理商： K4E151612D
K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
t
CRP
OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
RAS - ONLY REFRESH CYCLE
NOTE : W, OE , D
IN
= Don
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V
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-
t
RAS
t
RAH
D
OUT
= OPEN
t
RPC
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
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V
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-
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V
IH
-
V
IL
-
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RC
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-
V
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-
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RAS
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RPC
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CP
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RPC
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CHR
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CP
t
CSR
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CHR
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CEZ
OPEN
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OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
Don
′
t care
t
RP
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E171611D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
K4E160411D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
K4E160412D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170411D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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參數(shù)描述
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