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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JS28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 94/102頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
94
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
C.2
Query Structure Overview
The Query command causes the flash component to display the Common Flash Interface (CFI)
Query structure or “database.” The structure sub-sections and address locations are summarized
below.
Table 33.
Query Structure
Notes:
1.
Refer to the Query Structure Output section and offset 28h for the detailed definition of offset address as
a function of device bus width and mode.
BA = Block Address beginning location (i.e., 08000h is block 1’s beginning location when the block size
is 16-KWord).
Offset 15 defines “P” which points to the Primary Intel-specific Extended Query Table.
2.
3.
Word Addressing:
Hex Code
Byte Addressing:
Hex Code
Offset
A
X
–A
0
00010h
00011h
00012h
00013h
00014h
00015h
00016h
00017h
00018h
...
Value
Offset
A
X
–A
0
00010h
00011h
00012h
00013h
00014h
00015h
00016h
00017h
00018h
...
Value
D
15
–D
0
D
7
–D
0
0051
0052
0059
P_ID
LO
P_ID
HI
P
LO
P
HI
A_ID
LO
A_ID
HI
...
"Q"
"R"
"Y"
51
52
59
"Q"
"R"
"Y"
PrVendor
ID #
PrVendor
TblAdr
AltVendor
ID #
...
P_ID
LO
P_ID
LO
P_ID
HI
...
PrVendor
ID #
ID #
...
Offset
00001-Fh Reserved
00010h
0001Bh
00027h
P
(3)
Sub-Section Name
Description
(1)
Reserved for vendor-specific information
Command set ID and vendor data offset
Device timing & voltage information
Flash device layout
CFI query identification string
System interface information
Device geometry definition
Primary Intel-specific Extended Query Table Vendor-defined additional information specific
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869 |
| JS28F640P30BF65D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| JS28F640P30BF75A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 1.8V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640P30BF75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP |
| JS28F640P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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