參數資料
型號： JANSR2N7261
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應管）
文件頁數： 7/12頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： JANSR2N7261
www.irf.com
7
Fig 16.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 17.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Fig 14.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 15.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 0 Vdc, V
DS
= 80 Vdc
Radiation Characterstics
IRHF7130, IRHF8130,
JANSR-,JANSH-,2N7261 Devices
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