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參數(shù)資料
| 型號： | JANSR2N7261 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 291K |
| 代理商： | JANSR2N7261 |
10
www.irf.com
Pre-Irradiation
Fig 27a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 27b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 28.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 26.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
IRHF7130, IRHF8130,JANSR-,JANSH-,2N7261 Devices
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