參數(shù)資料
型號(hào)： JANSR2N7261
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 291K
代理商： JANSR2N7261
4
www.irf.com
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
Post-Irradiation
IRHF7130, IRHF8130,JANSR-,JANSH-,2N7261 Devices
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PDF描述
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