參數(shù)資料
型號： JANSR2N7261
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 291K
代理商： JANSR2N7261
www.irf.com
5
Post-Irradiation
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 9.
High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During
1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
IRHF7130, IRHF8130,JANSR-,JANSH-,2N7261 Devices
Fig 8a.
Gate Stress of V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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JANSR2N7268U 制造商:International Rectifier 功能描述:100V 34.000A HEXFET RADHARD - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack
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