參數(shù)資料
型號(hào)： IXTU01N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 0.1 A, 1000 V, 80 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： TO-251AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： IXTU01N100
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
140
mS
C
iss
C
oss
C
rss
60
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
7.5
pF
1.8
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
12
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 500 V, I
D
= I
D25
R
G
= 50
(External)
12
ns
28
ns
28
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
8
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
1.8
nC
3
nC
R
thJC
3
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
F
= 100 mA, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.8
V
t
rr
I
F
= 0.75 A, -di/dt = 10 A/
μ
s,
V
DS
= 25 V
1.5
μ
s
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A1
2.19
0.89
2.38
1.14
.086
0.35
.094
.045
b
b1
b2
0.64
0.76
5.21
0.89
1.14
5.46
.025
.030
.205
.035
.045
.215
c
c1
0.46
0.46
0.58
0.58
.018
.018
.023
.023
D
5.97
6.22
.235
.245
E
e
e1
6.35
2.28
4.57
6.73
BSC
BSC
.250
.090
.180
.265
BSC
BSC
H
17.02
17.78
.670
.700
L
L1
L2
L3
8.89
1.91
0.89
1.15
9.65
2.28
1.27
1.52
.350
.075
.035
.045
.380
.090
.050
.060
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Back heatsink
TO-251 AA Outline
IXTU 01N100
IXTY 01N100
TO-252 AA
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min.
Max.
A
A1
2.19
0.89
2.38
1.14
0.086
0.035
0.094
0.045
A2
b
0 0.13
0.64
0
0.005
0.035
0.89
0.025
b1
b2
0.76
5.21
1.14
5.46
0.030
0.205
0.045
0.215
c
0.46
0.46
0.58
0.58
0.018
0.018
0.023
0.023
c1
D
D1
5.97
4.32
6.22
5.21
0.235
0.170
0.245
0.205
E
E1
6.35
4.32
6.73
5.21
0.250
0.170
0.265
0.205
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51
0.370
0.020
0.410
0.040
1.02
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
1 Anode
2 NC
3 Anode
4 Cathode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTY01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
IXTY02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTU01N100D 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU01N80 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU02N50D 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU05N100 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU05N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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