參數(shù)資料
型號： IXTY01N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 0.1 A, 1000 V, 80 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 65K
代理商： IXTY01N100
2001 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 25
μ
A
1000
V
V
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25
μ
A
2
4.5
V
I
GSS
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
±50
nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
μ
A
μ
A
200
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= I
D25
Pulse test, t
≤
300 ms, duty cycle d
≤
2 %
60
80
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
01N100
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
Weight
T
J
= 25°C to 150°C
T
J
= 25°C to 150°C; R
GS
= 1 M
1000
V
1000
V
Continuous
±20
V
Transient
±30
V
T
C
= 25°C; T
J
= 25°C to 150°C
T
C
= 25°C, pulse width limited by max. T
J
100
mA
400
mA
T
C
= 25°C
25
W
-55 ... +150
°C
150
°C
-55 ... +150
°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 5 s
300
°C
0.8
g
High Voltage MOSFET
N-Channel, Enhancement Mode
TO-251 AA
D
S
G
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
D (TAB)
Features
International standard packages
JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching times
Applications
Level shifting
Triggers
Solid state relays
Current regulators
98812B (11/01)
TO-252 AA
G
S
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 1000
= 100mA
= 80
V
IXTU 01N100
IXTY 01N100
D (TAB)
相關PDF資料
PDF描述
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
IXTY02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTU02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTY01N100D 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY01N80 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY02N120P 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY02N50D 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY05N100 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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