參數(shù)資料
型號： IXTU01N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.1 A, 800 V, 50 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： TO-251AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： IXTU01N80
2001 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 25
μ
A
1000
V
V
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25
μ
A
2
4.5
V
I
GSS
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
±50
nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
μ
A
μ
A
200
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= I
D25
Pulse test, t
≤
300 ms, duty cycle d
≤
2 %
60
80
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
01N100
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
Weight
T
J
= 25°C to 150°C
T
J
= 25°C to 150°C; R
GS
= 1 M
1000
V
1000
V
Continuous
±20
V
Transient
±30
V
T
C
= 25°C; T
J
= 25°C to 150°C
T
C
= 25°C, pulse width limited by max. T
J
100
mA
400
mA
T
C
= 25°C
25
W
-55 ... +150
°C
150
°C
-55 ... +150
°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 5 s
300
°C
0.8
g
High Voltage MOSFET
N-Channel, Enhancement Mode
TO-251 AA
D
S
G
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
D (TAB)
Features
International standard packages
JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching times
Applications
Level shifting
Triggers
Solid state relays
Current regulators
98812B (11/01)
TO-252 AA
G
S
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 1000
= 100mA
= 80
V
IXTU 01N100
IXTY 01N100
D (TAB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
IXTY02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTU02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTU02N50D 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU05N100 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU05N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTU06N120P 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTU08N100P 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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