參數(shù)資料
型號(hào)： IXTT8P50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
中文描述： 8 A, 500 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 573K
代理商： IXTT8P50
2005 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= -10V
-9V
-8V
-7V
-5V
-6V
Fig. 4. R
DS(ON)
Normalized to I
D25
Value
vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100 125
150
R
D
I
D
= -11A
I
D
= -5.5A
V
GS
= -10V
Fig. 5. R
DS(ON)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
-25
-20
-15
-10
I
D
- Amperes
-5
0
R
D
T
J
=125
°
C
T
J
=25
°
C
V
GS
= -10V
Fig. 6. Input Admittance
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
-7.5
-7
-6.5
-6
-5.5
-5
-4.5
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= -40
°
C
25
°
C
125
°
C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 Deg. C
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
-20
-16
-12
-8
V
DS
- Volts
-4
0
I
D
V
GS
= -10V
-9V
-8V
-5V
-6V
-7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= -10V
-9V
-8V
-7V
-5V
-6V
IXTH 11P50
IXTT 11P50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTU01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
IXTY02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTT90P10P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU01N100 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU01N100D 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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