參數(shù)資料
型號： IXGR60N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 120K
代理商： IXGR60N60U1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGR 60N60U1
Fig. 12 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 13 Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 14 Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 16 Recovery time versus -di
F
/dt.
Fig. 17 Peak forward voltage vs. di
F
/dt.
Fig. 18 Transient thermal impedance junction to case.
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