參數(shù)資料
型號： IXGT16N170A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 16 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： IXGT16N170A
2003 IXYS All rights reserved
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi(typ)
= 1700
= 16
= 5.0
= 40 ns
V
A
V
IXGH 16N170A
IXGT 16N170A
C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
GCE
TO-247 AD
(IXGH)
Features
z
International standard packages
JEDEC TO-268 and
JEDEC TO-247 AD
z
High current handling capability
z
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
z
Rugged NPT structure
z
Molding epoxies meet UL
94
V-0
flammability classification
Applications
z
Capacitor discharge & pulser circuits
z
AC motor speed control
z
DC servo and robot drives
z
DC choppers
z
Uninterruptible power supplies (UPS)
z
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
z
High power density
z
Suitable for surface mounting
z
Easy to mount with 1 screw,
(isolated mounting screw hole)
DS98993(01/03)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250
μ
A, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1700
3.0
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
50
μ
A
μ
A
Note 1
750
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
4.0
4.8
5.0
V
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1700
V
1700
V
V
GES
V
GEM
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
G
= 10
Clamped inductive load
16
A
8
A
40
A
SSOA
(RBSOA)
I
= 40
@ 0.8 V
CES
A
t
SC
T
J
= 125
°
C, V
CE
= 1200 V; V
GE
= 15 V, R
G
= 22
10
μ
s
P
C
T
C
= 25
°
C
190
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
M
d
Mounting torque (M3)
(TO-247)
1.13/10Nm/lb.in.
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
TO-268 (IXGT)
G
E
High Voltage
IGBT
C (TAB)
Advance Technical Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH14N170A High Voltage IGBT
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
IXGX40N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXHQ100 Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
IXHQ100PI Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT16N170AH1 功能描述:IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N 60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N 60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N100 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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