參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR60N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： IXGR60N60U1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGR 60N60U1
Figure 11. IGBT Transient Thermal Resistance
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
10
20
30
40
C
10
100
1000
10000
Q
G
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
250
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
10
12
14
16
18
t
f
200
400
600
800
1000
T
J
= 125°C
I
C
= 60A
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
120
E
o
0
10
20
30
40
t
f
0
250
500
750
1000
V
CE
= 300V
I
C
= 60A
tfi
E
off
tfi
E
off
Cies
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
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PDF描述
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IXGH14N170A High Voltage IGBT
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參數(shù)描述
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IXGR72N60A3U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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