參數(shù)資料
型號(hào): IRGP20B120U-E
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù): 9/12頁(yè)
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代理商: IRGP20B120U-E
IRGP20B120UD-E
www.irf.com
9
Fig.24 - Normalized Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.00010
0.00100
0.01000
0.10000
1.00000
10.00000
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
θ
SINGLE
PULSE
0.05
0.02
D =0.5
0.01
0.2
0.1
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGP20B60PD 制造商:INTRSL 功能描述:
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IRGP20B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube