參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP20B120U-E
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 148K
代理商： IRGP20B120U-E
IRGP20B120UD-E
6
www.irf.com
Fig.15 - Typical Energy Loss vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
3000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
E
Eon
Eoff
Fig.13 - Typical Energy Loss vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
6000
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
E
Eon
Eoff
Fig.16 - Typical Switching Time vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
1000
10
100
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
t
tdon
tdoff
tr
tf
Fig.14 - Typical Switching Time vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
t
tdon
tdoff
tf
tr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4050 PDP Switch
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP20B60PD 制造商:INTRSL 功能描述:
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IRGP20B60PDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP20B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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