參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP20B120U-E
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： IRGP20B120U-E
IRGP20B120UD-E
4
www.irf.com
Fig.6 - Typical IGBT Output
Characteristics
Tj=25°C; tp=300μs
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V
CE
(V)
I
C
V
GE
= 18V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
Fig.7 - Typical IGBT Output
Characteristics
Tj=125°C; tp=300μs
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CE
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V
GE
= 18V
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GE
= 15V
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GE
= 12V
V
GE
= 10V
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GE
= 8V
Fig.5 - Typical IGBT Output
Characteristics
Tj= -40°C; tp=300μs
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V
CE
(V)
I
C
V
GE
= 18V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
Fig.8 - Typical Diode Forward
Characteristic
tp=300μs
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V
F
(V)
I
F
- 40°C
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4050 PDP Switch
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP20B60PD 制造商:INTRSL 功能描述:
IRGP20B60PD1 制造商:International Rectifier 功能描述:IINTERNATIONAL RECTIFIER PART
IRGP20B60PDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP20B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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