參數(shù)資料
型號(hào): IRGP20B120U-E
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大小: 148K
代理商: IRGP20B120U-E
IRGP20B120UD-E
8
www.irf.com
Fig.22 - Typical Capacitance vs V
CE
V
GE
=0V; f=1MHz
10
100
1000
10000
0
20
40
V
CE
(V)
60
80
100
C
C
ies
C
oes
C
res
Fig.23 - Typ. Gate Charge vs. V
GE
I
C
=20A; L=600μH
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
40
80
120
160
200
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
600V
800V
Fig.21 - Typ. Diode E
rec
vs. I
F
Tj=125°C
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0
10
20
30
40
50
60
I
F
(A)
E
5
10
22
51
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP20B60PD 制造商:INTRSL 功能描述:
IRGP20B60PD1 制造商:International Rectifier 功能描述:IINTERNATIONAL RECTIFIER PART
IRGP20B60PDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP20B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube