參數(shù)資料
型號: IRFL014N
廠商: International Rectifier
英文描述: 55V,1.9A, N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,1.9A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 55V的,1.9A,N溝道HEXFET功率MOSFET(55V的,1.9A,?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 144K
代理商: IRFL014N
IRFL014N
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
4.5V
0.1
1
10
100
4
5
6
7
8
9
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 25V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 1.7A
D
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PDF描述
IRFL1006 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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