參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL014N
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： 55V,1.9A, N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,1.9A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 55V的，1.9A，N溝道HEXFET功率MOSFET（55V的，1.9A，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： IRFL014N
IRFL014N
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.054 –––
–––
–––
2.0
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
–––
1.2
–––
3.3
–––
6.6
–––
7.1
–––
12
–––
3.3
–––
190
–––
72
–––
33
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 1.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 0.85A
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 1.7A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 1.7A
R
G
= 6.0
R
D
= 16
, See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
0.16
4.0
–––
1.0
25
100
-100
11
1.8
5.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.7A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
41
64
1.0
61
95
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
15
1.3
A
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
1.7A, di/dt
≤
250A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 8.2mH
R
G
= 25
, I
AS
= 3.4A. (See Figure 12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL1006 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFN350 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A)
IRFN3710 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRFN440 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRFN450 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFL014NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 2.7A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
IRFL014NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL014NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 1.9A, 160 mOhm, 7 nC Qg, SOT-223
IRFL014NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL014NTRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
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