參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6156
廠商： International Rectifier
英文描述： FlipFET Power MOSFET
中文描述： FlipFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 249K
代理商： IRF6156
8
www.irf.com
Fig 14.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage.
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform.
Gate Charge is symmetrical and can be measured as shown in either figures 14b or 14c.
Fig 14b
+
-
3mA
IG
ID
-
+
4.5V
4.5
V
-
+
S
Current Regulator
16V
.5μF
50K
12V
+
-
2μ
F
D
S2
S1
G1
G2
S2
S1
G1
G2
Fig 14c
+
-
3mA
-
+
4.5V
+
-
S
Current Regulator
50K
4.5
V
+
-
.5μF
2μF
16V
12V
I
D
I
G
D
S2
S1
G1
G2
S2
S1
G1
G2
0
4
6
8
10
12
14
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 16V
VDS= 10V
ID= 6.5A
Q
G
Q
GS
Q
GD
Q
G1-S2
V
G
Charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
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參數(shù)描述
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