參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6156
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： FlipFET Power MOSFET
中文描述： FlipFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大小： 249K
代理商： IRF6156
10
www.irf.com
Fig 20.
Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient.
Fig 18.
Typical Power vs. Time.
Fig 19.
Threshold Voltage vs. Temperature.
1.00
10.00
100.00
1000.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
50
P
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
P
t
t
DM
1
2
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
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參數(shù)描述
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