參數(shù)資料
型號： IRF6156
廠商： International Rectifier
英文描述： FlipFET Power MOSFET
中文描述： FlipFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： IRF6156
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical On-Resistance vs. Source
Current.
Fig 5.
Typical On-Resistance vs. Gate
Voltage.
Fig 7b.
Gate-Current vs. Gate-Source
Voltage
Fig 7a.
Gate-Current vs. Gate-Source
Voltage
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
RS
)
ID = 6.5A
VGS = 4.5V
0
5
10
15
20
25
30
35
IS , Source Current (A)
20
30
40
50
60
RS
)
VGS = 2.5V
0
5
10
15
20
25
VGS , Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
IG
TJ = 25°C
TJ = 150°C
0
5
10
15
20
VGS , Gate-to-Source Voltage (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IG
相關PDF資料
PDF描述
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF646 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF620 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF620 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF620_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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